Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm。
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進行，是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS。
飛行時間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時間質(zhì)譜，質(zhì)量數(shù)范圍寬，質(zhì)量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點，可以分析所有的導體、半導體、絕緣材料；對硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布，表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物、顆粒物、腐蝕物等）、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力。
一臺SIMS同時提供四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜
靜態(tài)SIMS Static SIMS
動態(tài)SIMS Dynamic SIMS
Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍
樣品 3D成像分析
檢測限低于ppm
SNMS 離子源，二次中性粒子譜
二次離子質(zhì)譜成像軟件，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫，二次離子質(zhì)譜后處理軟件
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SIMS APPLICATIONS
MCsn+ molecular ion – SIMS for direct chemical analysis of nanostructures without calibration standards
