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東莞惠海半導體有限公司
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雙電弧點火器100V39A結MOS管HC018N10L
低結電容，低內阻,低開啟電壓，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
深圳市惠新晨電子有限公司
型號:HC018N10L參數：100V39A ，類型：N溝道結MOS場效應管，內阻22毫歐， 低結電容1000pF， 封裝：貼片（TO-252）
HC018N10L是一款采用SGT工藝結MOS管，低開啟電壓1.5V，低內阻，低結電容,低開啟電壓，溫升低，轉換效率高，過電流大，抗沖擊能力強
HC018N10L可以應用于LED驅動電源，電子打火、驅動電機、工控電源等產品，高性價比
HC018N10L是一款專門為應用于電弧打火市場設計開發的一款結MOS管，低開啟電壓 低內阻，特別適合應用于電弧打火，其特點是打火猛、溫度低、打火時間長、火花四射
備注：惠新晨電子支持根據您的要求定制您自己的LOGO及定制白板出貨
雙電弧點火器100V39A結MOS管HC018N10L
雙電弧點火器100V39A結MOS管HC018N10L
工廠規模：
可靠性測試及品質把控：
封裝及測試流程：
公司庫存實力展示：
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
使用優勢
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙型器件。
有些場效應管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，大電壓等，大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、大電壓、大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。
當電源IC與MOS管選定之后，選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。
一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：
開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。
開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源間電壓保持穩定且可靠導通。
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。
驅動電路結構簡單可靠、損耗小。
根據情況施加隔離。
場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。
場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙型器件。
有些場效應管的源和漏可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被廣泛應用于各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
場效應管分成結型和緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
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